上海磁宇信息科技有限公司
企业简介

上海磁宇信息科技有限公司 main business:设计、开发、测试集成电路,研发电子元器件、电子产品、电子系统集成、电子软件及辅助设备(除计算机信息系统安全专用产品),销售自产产品,上述产品及其相关商品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外),并提供相关的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务。(不涉及国营贸易管理商品;涉及配额、许可证管理商品的,按照... and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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上海磁宇信息科技有限公司的工商信息
  • 310000400736229
  • 91310000094235627H
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(中外合资)
  • 2014-05-08
  • 郭一民(GUO YIMIN)
  • 8538.6万人民币
  • 2014-05-08 至 永久
  • 上海市工商行政管理局
  • 上海市嘉定工业区兴顺路558号2幢2层
  • 设计、开发、测试集成电路,研发电子元器件、电子产品、电子系统集成、电子软件及辅助设备(除计算机信息系统安全专用产品),销售自产产品,上述产品及其相关商品的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外),并提供相关的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务。(不涉及国营贸易管理商品;涉及配额、许可证管理商品的,按照...
上海磁宇信息科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 16278588 图形 2015-02-02 技术研究;技术项目研究;替他人研究和开发新产品;科学实验室服务;科学研究;计算机软件设计;计算机硬件设计和开发咨询;计算机系统设计;信息技术咨询服务;电子数据存储 查看详情
2 16258050 图形 2015-01-28 微处理机;磁性数据介质;计算机存储装置;读出器(数据处理设备);中央处理器(CPU);磁性材料和器件;电子芯片;芯片(集成电路);集成电路;半导体器件 查看详情
3 16257989 磁宇 2015-01-28 计算机存储装置;磁性数据介质;微处理机;中央处理器(CPU);读出器(数据处理设备);集成电路;芯片(集成电路);电子芯片;半导体器件;磁性材料和器件 查看详情
4 16257991 CIYU 2015-01-28 磁性数据介质;微处理机;中央处理器(CPU);计算机存储装置;读出器(数据处理设备);集成电路;芯片(集成电路);电子芯片;半导体器件;磁性材料和器件 查看详情
上海磁宇信息科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN105718993A 细胞阵列计算系统以及其中的通信方法 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线
2 CN105718995A 细胞阵列计算系统及其调试方法 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统及其调试方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线;细胞
3 CN105657799A 使用MRAM的传感网节点模块、传感网节点与传感网 2016.06.08 本发明提供一种传感网节点模块,包括传感网芯片,传感网芯片包括CPU与射频通信模块,使用MRAM运行软
4 CN105740946A 一种应用细胞阵列计算系统实现神经网络计算的方法 2016.07.06 一种应用细胞阵列计算系统实现神经网络计算的方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞
5 CN105718379A 细胞阵列计算系统以及其中细胞间群发通信方法 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线
6 CN105655481A 超密型交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 2016.06.08 本发明提供了一种超密型交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺,包括:在硅衬底上生长绝缘电介质层;制备底电
7 CN105741864A 一种读出放大器及MRAM芯片 2016.07.06 本发明提供一种读出放大器,读出放大器包括输入部分与差分电流输出部分,输入部分与差分电流输出部分在输入
8 CN105761745A 一种读出放大器及MRAM芯片 2016.07.13 本发明提供一种读出放大器,读出放大器包括输入部分与差分电流输出部分,输入部分与差分电流输出部分在输入
9 CN105718992A 细胞阵列计算系统 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统,包括:主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和内存单元阵列;细胞阵列是由一个以上二
10 CN105718990A 细胞阵列计算系统以及其中细胞之间的通信方法 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线
11 CN105718996A 细胞阵列计算系统以及其中的通信方法 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统以及其中的通信方法,所述细胞阵列计算系统包括:主控CPU、细胞阵列和细胞阵列总线
12 CN105719228A 摄像系统以及图像识别系统 2016.06.29 一种摄像系统以及图像识别系统,摄像系统包括:细胞阵列计算系统和图像传感器,细胞阵列计算系统包括主控C
13 CN105718991A 细胞阵列计算系统 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统,包括:主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和至少一个内存单元阵列;细胞阵列是由一
14 CN105718392A 细胞阵列文件存储系统及其文件存储设备与文件存储方法 2016.06.29 一种细胞阵列文件存储系统及其文件存储设备与文件存储方法,所述文件存储设备包括:内控CPU、细胞阵列、
15 CN105718530A 文件存储系统及其文件存储控制方法 2016.06.29 一种文件存储系统及其文件存储控制方法,所述文件存储系统包括第一存储器、第二存储器以及控制单元;第一存
16 CN105718380A 细胞阵列计算系统 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统,包括:主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和至少一个存储单元阵列;细胞阵列是由一
17 CN105719227A 一种摄像系统以及图像识别系统 2016.06.29 一种摄像系统以及图像识别系统,所述摄像系统包括:细胞阵列计算系统和图像传感器,细胞阵列计算系统包括主
18 CN105718994A 细胞阵列计算系统 2016.06.29 一种细胞阵列计算系统,包括:主控CPU、细胞阵列、细胞阵列总线和存储单元阵列;细胞阵列是由一个以上二
19 CN105679784A 制备磁性随机存储器周边导电通路的方法 2016.06.15 本发明是关于在纳米尺寸的MRAM中,制备高质量的周边导电通路(ECM,Electrical Cond
20 CN105679358A 垂直型自旋转移矩磁性随机存储器记忆单元 2016.06.15 本发明提供了一种垂直型自旋转移矩磁性随机存储器记忆单元,包括堆叠结构和自旋阀控制层,所述堆叠结构包括
21 CN105653468A 一种使用MRAM的存储设备 2016.06.08 本发明提供一种使用MRAM的存储设备,包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片,主
22 CN105630404A 一种使用MRAM的固态硬盘及读写方法 2016.06.01 本发明提供一种固态硬盘,包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片,NAND芯片与主控芯片连接,固
23 CN105630535A 一种计算系统及启动系统的方法 2016.06.01 本发明公开了一种计算系统,包括CPU,随机访问存储器,存储装置,CPU通过总线及随机访问存储器接口与
24 CN105630697A 一种利用MRAM存储小文件的存储结构 2016.06.01 本发明提供一种利用MRAM存储小文件的存储结构,包括MRAM与块存储设备,MRAM包括小文件存储区,
25 CN105630403A 文件存储系统及其文件存储控制方法与装置 2016.06.01 一种文件存储系统及其文件存储控制方法与装置,所述文件存储系统包括采用整块读写的第一存储器和支持随机存
26 CN105632534A 一种混合使用DRAM和MRAM的固态硬盘 2016.06.01 本发明提供一种混合使用DRAM和MRAM固态硬盘,包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及D
27 CN105630406A 利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统及编辑缓存方法 2016.06.01 本发明提供一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统,包括MRAM与块存储设备,MRAM包括编辑缓存区
28 CN105630696A 一种利用MRAM保护NAND的方法及存储结构 2016.06.01 本发明提供一种利用MRAM保护NAND的方法,包括以下步骤:(1)收到写NAND页指令,在MRAM中
29 CN105630405A 一种存储系统及采用该存储系统的读写方法 2016.06.01 本发明提供一种存储系统,包括主机内存与固态硬盘,固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM,主机内
30 CN105630701A 数据存储装置及使用不可用页表或不可用块表的读写方法 2016.06.01 本发明提供一种数据存储装置,包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM
31 CN105633109A 磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法 2016.06.01 本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元,包括堆叠结构和自旋阀控制层,堆叠结构包括:磁性参考层、磁性记
32 CN105630691A 一种使用MRAM的固态硬盘及使用物理地址的读写方法 2016.06.01 本发明提供一种固态硬盘,包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片,NAND芯片与主控芯片连接,固
33 CN105630692A 一种利用MRAM存储文件目录的文件存储系统 2016.06.01 本发明提供一种利用MRAM存储文件目录的文件存储系统,包括MRAM与块存储设备,MRAM包括文件系统
34 CN105630699A 一种使用MRAM的固态硬盘及读写缓存管理方法 2016.06.01 本发明提供一种使用MRAM的固态硬盘,包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及MRAM,NA
35 CN105632545A 一种3D内存芯片 2016.06.01 本发明公开了一种3D内存芯片,基于3D-SIC技术将MRAM和DRAM混合使用,构成3D结构的内存芯
36 CN105632530A 一种电感储能式直流电压转换器及非易失存储芯片 2016.06.01 本发明所要解决的技术问题是提供一种电感储能式直流电压转换器,采用集成在芯片中的电感,使得电感储能式直
37 CN105630705A 数据存储装置及使用块替换表的读写方法 2016.06.01 本发明提供一种数据存储装置,包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM
38 CN105630127A 嵌入MRAM的SoC芯片及其功耗控制方法 2016.06.01 一种嵌入MRAM的SoC芯片及其功耗控制方法,所述SoC芯片包括:内部MRAM、内部总线以及至少一个
39 CN105630128A MRAM芯片及其功耗控制方法 2016.06.01 一种MRAM芯片及其功耗控制方法,所述MRAM芯片包括:总线监听及电源控制模块和主MRAM模块;所述
40 CN105633275A 一种垂直型STT-MRAM记忆单元及其读写方法 2016.06.01 本发明提供一种垂直型STT-MRAM记忆单元,其堆叠结构包括:磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、磁
41 CN105633110A 一种平面型STT-MRAM记忆单元及其读写方法 2016.06.01 本发明提供一种平面型STT-MRAM记忆单元。此STT-MRAM记忆单元包括:磁性参考层、磁性记忆层
42 CN105632546A 一种MRAM芯片及其自刷新操作方法 2016.06.01 本发明提供一种MRAM芯片,包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列,每个阵列与控制电路连接,控制
43 CN105632717A 一种嵌入集成电路芯片的电感及集成电路芯片 2016.06.01 本发明提供一种嵌入集成电路芯片的电感,电感包括线圈以及软铁磁部分,软铁磁部分设置于线圈上方和/或线圈
44 CN105630410A 使用非易失随机读写存储芯片动态管理文件存储区的方法 2016.06.01 本发明提供一种使用非易失随机读写存储芯片动态管理文件存储区的方法,文件存储区由N个地址连续并且相连接
45 CN105630707A 具有断电保护功能的存储设备、断电保护方法及计算系统 2016.06.01 本发明提供一种存储设备及其断电保护方法,存储设备包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAN
46 CN105630700A 一种具有二级缓存结构的存储系统及读写方法 2016.06.01 本发明提供一种具有二级缓存结构的存储系统,包括主机内存与固态硬盘,固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片
47 CN105630408A 一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片及固态硬盘 2016.06.01 本发明提供一种集成MRAM的固态硬盘控制芯片,包括CPU、MRAM、主机接口以及NAND控制器,主机
48 CN105631366A 一种加密芯片及其加密方法 2016.06.01 本发明涉及一种利用MRAM的加密芯片和方法,加密芯片包括主控芯片、内存和存储器,所述主控芯片分别与内
49 CN105630704A 存储装置及使用基于块的逻辑物理地址对照表的读写方法 2016.06.01 本发明提供一种存储装置,包括主机接口、主控芯片、用于存储数据的一个或多个NAND芯片以及MRAM,M
50 CN105630407A 一种计算系统及操作系统调度内存和启动系统的方法 2016.06.01 本发明公开了一种计算系统,包括CPU,随机访问存储器,存储装置,CPU通过总线及随机访问存储器接口与
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